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《大学物理AⅡ》期中补考试卷 (精选01)
真空介电常量 $\varepsilon _ { 0 } = 8 . 8 5 { \times } 1 0 ^ { - 1 2 } \mathbf { C } ^ { 2 } { \cdot } \mathbf { N } ^ { - 1 } { \cdot } \mathbf { m } ^ { - 2 }$ ,真空磁导率 $\mu _ { 0 } = 4 \pi { \times } 1 0 ^ { - 7 } \mathrm { N } { \cdot } \mathrm { A } ^ { - 2 }$
一、选择题 (共 15 分, 每题3 分) 请将答案写在试卷上指定方括号[ ]内。
- (3分) 在真空中,有A、B两平行板,其间距离为 $d$ (很小),两板面积均为 $S$ ,所带电量分别为 $+ q$ 和 $- q$ ,则两板间的静电作用力为 [ ]
(A) $F = \frac { q ^ { 2 } } { 4 \pi \varepsilon _ { 0 } d ^ { 2 } }$
(B) $F = \frac { q ^ { 2 } } { \varepsilon _ { 0 } S }$
(C) $F = \frac { q ^ { 2 } } { 2 \varepsilon _ { 0 } S }$
(D) $F = \frac { q ^ { 2 } } { 4 \varepsilon _ { 0 } S }$
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答案:C
解析:
平行板电容器内部场强 $E = \sigma/\varepsilon_0 = q/(\varepsilon_0 S)$。一块板在另一块板产生的电场中受力 $F = qE/2 = q^2/(2\varepsilon_0 S)$。
难度: ⭐
考点: #平行板电容器 #电场力
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📖 相关公式与知识点:
- 无限大带电平面的场强:$E = \frac{\sigma}{2\varepsilon_0}$(单板)
- 平行板电容器内部场强:$E = \frac{\sigma}{\varepsilon_0}$(两板叠加)
- 电场力:$F = qE$(注意:一块板在另一块板的电场中受力)
- 面电荷密度:$\sigma = q/S$
思路分析
- 一块板在另一块板处产生的场强为 $E = \sigma/(2\varepsilon_0)$
- 该板受力 $F = q \cdot E = q \cdot \sigma/(2\varepsilon_0) = q^2/(2\varepsilon_0 S)$
易错点
- 不能用 $F = qE_{\text{总}}$,因为 $E_{\text{总}}$ 包含自身产生的场
- 一块板不受自身电场的作用力
🔄 举一反三
两平行板带同号电荷,作用力方向?
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答案:排斥力
解析:同号电荷相互排斥,两板受力方向均为背离对方。
若两板分别带 $+2q$ 和 $-q$,求作用力大小。
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答案:$F = q^2/(\varepsilon_0 S)$
解析:正板在负板处场强 $E = 2q/(2\varepsilon_0 S) = q/(\varepsilon_0 S)$,负板受力 $F = qE = q^2/(\varepsilon_0 S)$。
2.(3分) 一电场强度为 $E$ 的均匀电场, $E$ 的方向与 $x$ 轴正向的夹角为 $\pi / 4$ ,与 $y$ 轴方向垂直,如图所示。则通过图中半径为 $R$ 的¼球面(直径沿 $y$ 轴)的电场强度通量为 [ ]

(A) $\frac { \sqrt { 2 } } { 2 } \pi R ^ { 2 } E \mathrm { ~ . ~ }$
(B) ${ \frac { \sqrt { 2 } } { 4 } } \pi R ^ { 2 } E \ ,$
(C) $\frac { 1 } { 2 } \pi R ^ { 2 } E$
(D) 0。
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答案:A
解析:
¼球面(直径沿 $y$ 轴)的矢量面积:
$\vec{A} = \iint_S d\vec{S} = \left(\frac{\pi R^2}{2},\ 0,\ \frac{\pi R^2}{2}\right)$。
电场 $\vec{E} = (E\cos\frac{\pi}{4},\ 0,\ E\sin\frac{\pi}{4}) = \left(\frac{\sqrt{2}}{2}E,\ 0,\ \frac{\sqrt{2}}{2}E\right)$。
电通量 $\Phi = \vec{E} \cdot \vec{A} = \frac{\sqrt{2}}{2}E \cdot \frac{\pi R^2}{2} + 0 + \frac{\sqrt{2}}{2}E \cdot \frac{\pi R^2}{2} = \frac{\sqrt{2}}{2}\pi R^2 E$。
难度: ⭐⭐
考点: #电通量 #高斯定理
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📖 相关公式与知识点:
- 电通量:$\Phi = \vec{E} \cdot \vec{S} = ES\cos\theta$
- 通过曲面的电通量 = 通过其在垂直于电场方向的投影面的电通量
- ¼球面在 $x$ 方向的投影为¼圆,面积 $\pi R^2/4$
- $E_x = E\cos(\pi/4) = \sqrt{2}E/2$
思路分析
- ¼球面的矢量面积 $\vec{A} = \iint_S d\vec{S}$,通过球面积分求得 $\vec{A} = (\pi R^2/2,\ 0,\ \pi R^2/2)$
- 电场分量:$E_x = E\cos(\pi/4) = \sqrt{2}E/2$,$E_z = E\sin(\pi/4) = \sqrt{2}E/2$
- $\Phi = \vec{E} \cdot \vec{A} = E_x A_x + E_z A_z = \frac{\sqrt{2}}{2}E \cdot \frac{\pi R^2}{2} \times 2 = \frac{\sqrt{2}}{2}\pi R^2 E$
易错点
- 注意 $E$ 的方向:与 $x$ 轴夹角 $\pi/4$,与 $y$ 轴垂直
- 投影面积是¼圆面积,不是半球面积
🔄 举一反三
均匀电场通过半球面的电通量?
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答案:$\Phi = E \cdot \pi R^2$
解析:
- 第一步:半球面在垂直于 $E$ 方向的投影是半径为 $R$ 的圆
- 第二步:投影面积 $\pi R^2$
- 第三步:$\Phi = E \cdot \pi R^2$
均匀电场通过闭合圆柱面的总电通量?
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答案:$0$
解析:闭合曲面内无电荷,由高斯定理 $\Phi = q_{\text{内}}/\varepsilon_0 = 0$。
3.(3分) 一带电大导体平板,平板二个表面的电荷面密度的代数和为 $\sigma$ ,置于电场强度为 $\vec { E _ { 0 } }$ 的均匀外电场中,且使板面垂直于 $\vec { E _ { 0 } }$ 的方向.设外电场分布不因带电平板的引入而改变,则板的附近左、右两侧的合场强为 [ ]
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答案:A
解析:
导体平板在电场中静电平衡,内部场强为零。设左右表面电荷面密度分别为 $\sigma_1$、$\sigma_2$,$\sigma_1 + \sigma_2 = \sigma$。
左侧合场强 $E_0 - \sigma_1/(2\varepsilon_0) + \sigma_2/(2\varepsilon_0) = E_0 - (\sigma_1 - \sigma_2)/(2\varepsilon_0)$。
内部场强为零:$E_0 - (\sigma_1 + \sigma_2)/(2\varepsilon_0) = 0$ → $E_0 = \sigma/(2\varepsilon_0)$。
左侧 $E_{\text{左}} = E_0 - \sigma/(2\varepsilon_0) = 0$,右侧 $E_{\text{右}} = E_0 + \sigma/(2\varepsilon_0) = \sigma/\varepsilon_0$。
难度: ⭐⭐
考点: #导体静电平衡 #场强叠加
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📖 相关公式与知识点:
- 无限大带电平面的场强:$E = \frac{\sigma}{2\varepsilon_0}$(方向垂直于平面向外)
- 导体静电平衡条件:内部场强为零
- 场强叠加原理:合场强 = 外电场 + 各表面电荷产生的场强
- 电荷守恒:$\sigma_1 + \sigma_2 = \sigma$
思路分析
- 设左右表面电荷面密度分别为 $\sigma_1$、$\sigma_2$
- 由内部场强为零列方程
- 由电荷守恒列方程
- 联立求解各区域场强
易错点
- 导体内部场强为零是静电平衡的核心条件
- 各表面电荷产生的场强方向需正确判断
🔄 举一反三
不带电导体平板放入外电场,两侧场强?
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答案:两侧均为 $E_0$
解析:
- 第一步:$\sigma = 0$,由内部场强为零得 $\sigma_1 = -\sigma_2$
- 第二步:感应电荷产生的场与外场在外部叠加后仍为 $E_0$
接地导体平板一侧有点电荷,求另一侧场强。
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答案:$0$
解析:接地导体板起到静电屏蔽作用,另一侧场强为零。
4.(3分)真空中有一半径为 $R$ ,所带电荷量为 $\mathcal { Q }$ 的导体球,测得距中心 $O$ 为 $r$ 处的 $A$ 点场强为 $\vec { E _ { A } } = Q \hat { e } _ { r } / \big ( 4 \pi \varepsilon _ { 0 } r ^ { 3 } \big )$ ,现以 $A$ 为中心,再放上一个半径为 $\rho$ ,相对介电常数为 $\varepsilon _ { \mathrm { r } }$ 的介质球,如图所示,此时下列各公式中正确的是
(A) $A$ 点的电场强度 $\vec { E _ { A } ^ { \prime } } = \vec { E _ { A } } / \varepsilon _ { \mathrm { r } }$ 。
(B) $\oint _ { S } \vec { D } \cdot \mathrm { d } \vec { S } = Q$
(C) $\oint _ { S } \vec { E } \cdot \mathrm { d } \vec { S } = Q / \varepsilon _ { 0 }$
(D) 导体球面上的电荷面密度 $\sigma = Q / \left( 4 \pi R ^ { 2 } \right)$ 。

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答案:B
解析:
(A) 错:介质球放入后改变了原场分布,A 点场强不是简单除以 $\varepsilon_r$。
(B) 对:$\oint \vec{D} \cdot d\vec{S} = q_f$(自由电荷),高斯面内自由电荷为 $Q$。
(C) 错:介质存在时 $\oint \vec{E} \cdot d\vec{S} \neq Q/\varepsilon_0$。
(D) 错:介质球放入后导体球表面电荷重新分布。
难度: ⭐⭐
考点: #电介质 #高斯定理 #D矢量
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📖 相关公式与知识点:
- 有介质时的高斯定理:$\oint \vec{D} \cdot d\vec{S} = q_f$(只与自由电荷有关)
- $\vec{D} = \varepsilon_0 \varepsilon_r \vec{E}$(各向同性线性介质)
- 真空中高斯定理:$\oint \vec{E} \cdot d\vec{S} = q/\varepsilon_0$(包含所有电荷)
- 介质极化会产生束缚电荷,影响 $\vec{E}$ 但不影响 $\vec{D}$
思路分析
- $\vec{D}$ 的高斯定理只与自由电荷有关,与介质无关
- $\vec{E}$ 的高斯定理与所有电荷(含束缚电荷)有关
- 介质球放入后改变了 $\vec{E}$ 的分布,但 $\vec{D}$ 的通量不变
易错点
- $\vec{D}$ 只与自由电荷有关,不等于 $\vec{E}$ 简单除以 $\varepsilon_r$
- 介质放入后导体球表面电荷会重新分布
🔄 举一反三
有介质时的高斯定理与真空中的区别?
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答案:$\oint \vec{D} \cdot d\vec{S} = q_f$(只与自由电荷有关)
解析:
- 第一步:真空中 $\vec{D} = \varepsilon_0\vec{E}$,$\oint \vec{E} \cdot d\vec{S} = q/\varepsilon_0$
- 第二步:有介质时 $\vec{D} = \varepsilon_0\vec{E} + \vec{P}$,$\oint \vec{D} \cdot d\vec{S} = q_f$
- 第三步:$\vec{D}$ 的通量只取决于自由电荷
均匀介质中 $\vec{D}$、$\vec{E}$、$\vec{P}$ 的关系?
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答案:$\vec{D} = \varepsilon_0\vec{E} + \vec{P} = \varepsilon_0\varepsilon_r\vec{E}$
解析:$\vec{P} = \chi_e\varepsilon_0\vec{E}$,$\varepsilon_r = 1 + \chi_e$,$\vec{D} = \varepsilon_0(1+\chi_e)\vec{E} = \varepsilon_0\varepsilon_r\vec{E}$。
- (3分) 四条相互平行的无限长载流直导线,电流强度均为 $I$ ,如图所示,垂直纸面放置,正方形的边长为 $2 a$ ,则正方形中心 $O$ 处的磁感应强度大小为 [ ]
(A) $B = \frac { 2 \mu _ { 0 } I } { \pi a }$
(B) $B = \frac { 2 \mu _ { \scriptscriptstyle 0 } I } { \sqrt { 2 } \pi a }$
(C) $B = \frac { \mu _ { \scriptscriptstyle 0 } I } { \pi a }$
(D) $B = 0$

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答案:D
解析:
中心到各导线距离 $r = \sqrt{2}a$。对角两导线电流同向,在中心产生磁场等大反向,抵消。四条导线磁场全部抵消,$B = 0$。
难度: ⭐
考点: #毕奥-萨伐尔定律 #磁场叠加
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📖 相关公式与知识点:
- 无限长直导线磁场:$B = \frac{\mu_0 I}{2\pi r}$
- 磁场方向:右手定则(拇指沿电流,四指弯曲方向为磁场方向)
- 对角两导线在中心产生的磁场等大反向
- 磁场叠加原理:$\vec{B}_{\text{总}} = \sum \vec{B}_i$
思路分析
- 计算每条导线在中心产生的磁场大小和方向
- 对角两导线电流同向,在中心磁场方向相反
- 四条导线两两抵消,总磁场为零
易错点
- 磁场是矢量,叠加时必须考虑方向
- 对角线导线在中心产生的磁场方向相反
🔄 举一反三
四条导线中一条电流反向,中心磁场?
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答案:$B = \mu_0 I/(\pi a)$
解析:
- 第一步:一条电流反向后,该导线与对角导线在中心产生同向磁场
- 第二步:另一对角导线仍互相抵消
- 第三步:$B = 2 \times \frac{\mu_0 I}{2\pi\sqrt{2}a} \times \sqrt{2} = \frac{\mu_0 I}{\pi a}$
两条平行导线电流同向和反向时,中间点磁场分别多大?
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答案:同向 $B=0$;反向 $B = \mu_0 I/(\pi d)$
解析:
- 第一步:同向时中间点两磁场等大反向,抵消为零
- 第二步:反向时中间点两磁场同向叠加,$B = 2 \times \mu_0 I/(2\pi d) = \mu_0 I/(\pi d)$
二、填空题(共35分)请将填空题答案写在卷面指定的划线处
1.(4分) 在静电场中,一质子(电荷量 $e = 1 . 6 { \times } 1 0 ^ { - 1 9 } \mathrm { C } )$ 沿四分之一的圆弧轨道从 $A$ 点移到 $B$ 点,电场力做功为 $8 . 0 { \times } 1 0 ^ { - 1 5 } \mathrm { J }$ ,则质子沿四分之三的圆弧轨道从 $B$ 点回到 $A$ 点时,电场力做功为_。设 $A$ 点电势为零,则 $B$ 点电势为 。

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答案:$-8.0 \times 10^{-15}\ \mathrm{J}$;$-5 \times 10^4\ \mathrm{V}$
解析:
静电场力做功与路径无关。$A_{BA} = -A_{AB} = -8.0 \times 10^{-15}\ \mathrm{J}$。
$A_{AB} = e(U_A - U_B)$,$U_A = 0$ → $U_B = -A_{AB}/e = -8.0 \times 10^{-15}/(1.6 \times 10^{-19}) = -5 \times 10^4\ \mathrm{V}$。
难度: ⭐
考点: #电场力做功 #电势
💡 学习锦囊
📖 相关公式与知识点:
- 电场力做功:$A = q(U_1 - U_2)$(与路径无关)
- 电势定义:$U_A = A_{A\to\infty}/q$(取无穷远为零电势)
- 静电场是保守场,做功只与起止点有关
- $A_{BA} = -A_{AB}$(往返做功等大反号)
思路分析
- 电场力做功与路径无关,只与起止点有关
- $B \to A$ 做功是 $A \to B$ 做功的负值
- 由 $A_{AB} = q(U_A - U_B)$ 求电势差
易错点
- 做功公式中是 $U_1 - U_2$,不是 $U_2 - U_1$
- 质子带正电 $q = +e$,电子带负电 $q = -e$
🔄 举一反三
电子从 A 到 B 电场力做正功,哪点电势高?
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答案:B 点电势高
解析:
- 第一步:电子带负电 $q = -e$
- 第二步:$A = q(U_A - U_B) > 0$ → $U_A - U_B < 0$ → $U_A < U_B$
- 第三步:B 点电势高
将 $q = 2\ \mathrm{\mu C}$ 从 $A$ 移到 $B$,电场力做功 $-4 \times 10^{-3}\ \mathrm{J}$,求 $U_{AB}$。
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答案:$U_{AB} = 2000\ \mathrm{V}$
解析:$A = q(U_A - U_B) = qU_{AB}$,$U_{AB} = A/q = -4 \times 10^{-3}/(2 \times 10^{-6}) = -2000\ \mathrm{V}$,即 $U_A - U_B = -2000\ \mathrm{V}$,$U_{BA} = 2000\ \mathrm{V}$。
2.(3分) 如图所示,两个同心导体球壳,内球壳半径为 $R _ { 1 }$ ,均匀带有电量 $\mathcal { Q }$ ;外球壳半径为 $R _ { 2 }$ ,壳的厚度忽略,原先不带电,但与地相连接。设地为电势零点,则在两球之间、距离球心为 $r$ 的 $P$ 点处电势为 。

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答案:$\frac{Q}{4\pi\varepsilon_0}\left(\frac{1}{r} - \frac{1}{R_2}\right)$
解析:
外球壳接地 $U(R_2) = 0$。两球间场强 $E = Q/(4\pi\varepsilon_0 r^2)$。
$U(r) = \int_r^{R_2} E dr = \frac{Q}{4\pi\varepsilon_0}\left(\frac{1}{r} - \frac{1}{R_2}\right)$。
难度: ⭐⭐
考点: #电势 #导体球壳 #接地
💡 学习锦囊
📖 相关公式与知识点:
- 电势定义:$U(r) = \int_r^{U=0} \vec{E} \cdot d\vec{l}$
- 同心球壳间场强:$E = Q/(4\pi\varepsilon_0 r^2)$(高斯定理)
- 外球壳接地:$U(R_2) = 0$(电势零点)
- 接地导体球壳内表面感应电荷 $-Q$
思路分析
- 由高斯定理求两球间场强
- 从 $r$ 积分到 $R_2$(电势零点)求电势
- 外球壳外部场强为零(接地后外表面无电荷)
易错点
- 外球壳接地后,外表面电荷为零,外部无电场
- 电势积分方向从 $r$ 到 $R_2$,不是到无穷远
🔄 举一反三
外球壳不接地,两球间电势分布?
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答案:$U = \frac{Q}{4\pi\varepsilon_0 r} + C$
解析:
- 第一步:不接地时外球壳外表面有 $+Q$,外部有电场
- 第二步:$U(r) = \int_r^\infty E\,dr = \frac{Q}{4\pi\varepsilon_0 r}$
- 第三步:取无穷远为零电势,$U(r) = \frac{Q}{4\pi\varepsilon_0 r}$
内球壳也接地,外球壳不接地,求外球壳电势。
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答案:$0$
解析:内球接地后电荷为零,外球壳无感应电荷,电势为零。
- (4分) 紧贴半径为 $R _ { 1 }$ 的金属球外有一层相对介电常量为 $\varepsilon _ { \mathrm { r } } = 2$ 的介质球壳,其外半径为 $R _ { 2 }$ ,若金属球带电为 $q$ 。则介质内离球心 $r \left( < R _ { 2 } \right)$ 处的电场强度的大小$E = .$ ;金属球心处的电势 $U = .$ 。
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答案:$E = \frac{q}{8\pi\varepsilon_0 r^2}$;$U = \frac{q}{8\pi\varepsilon_0}\left(\frac{1}{R_1} + \frac{1}{R_2}\right)$
解析:
$D = q/(4\pi r^2)$,$E = D/(\varepsilon_r\varepsilon_0) = q/(8\pi\varepsilon_0 r^2)$。
$U = \int_{R_1}^{R_2} E dr + \int_{R_2}^\infty \frac{q}{4\pi\varepsilon_0 r^2}dr = \frac{q}{8\pi\varepsilon_0}\left(\frac{1}{R_1} - \frac{1}{R_2}\right) + \frac{q}{4\pi\varepsilon_0 R_2} = \frac{q}{8\pi\varepsilon_0}\left(\frac{1}{R_1} + \frac{1}{R_2}\right)$。
难度: ⭐⭐
考点: #电介质 #高斯定理 #电势
💡 学习锦囊
📖 相关公式与知识点:
- $\vec{D}$ 的高斯定理:$D = q/(4\pi r^2)$
- 介质中场强:$E = D/(\varepsilon_r\varepsilon_0)$
- 电势计算:分段积分 $U = \int_{R_1}^{R_2} E_{\text{介质}}\,dr + \int_{R_2}^\infty E_{\text{真空}}\,dr$
- 真空中 $E = q/(4\pi\varepsilon_0 r^2)$
思路分析
- 由 $\vec{D}$ 的高斯定理求 $D$,再求 $E$
- 分段积分求球心电势
- 介质内和介质外场强不同
易错点
- 介质内 $E = q/(4\pi\varepsilon_r\varepsilon_0 r^2)$,不是 $q/(4\pi\varepsilon_0 r^2)$
- 电势积分需分段:介质内 + 介质外
🔄 举一反三
介质球壳 $\varepsilon_r$ 增大,球心电势如何变化?
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答案:减小
解析:
- 第一步:$\varepsilon_r$ 增大 → 介质内 $E$ 减小
- 第二步:但球心电势主要取决于介质内积分
- 第三步:$E$ 减小 → 积分值减小 → 球心电势减小
若介质球壳外半径 $R_2 \to \infty$,球心电势为多少?
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答案:$U = q/(8\pi\varepsilon_0 R_1)$
解析:介质充满整个空间,$E = q/(8\pi\varepsilon_0 r^2)$,$U = \int_{R_1}^\infty E\,dr = q/(8\pi\varepsilon_0 R_1)$。
4.(4 分) 三个完全相同的金属球 A、B、C,其中 A 球所带电荷量为 $\mathcal { Q }$ ,而 B、C球均不带电。先使A球同B 球接触,分开很远后A 球再和C球接触,最后三个球分别孤立地放置,则A、B 两球所储存的电场能量 $W _ { \mathrm { A } }$ , $W _ { \mathrm { B } }$ ,与A 球原先所储存的电场能量 $W _ { 0 }$ 比较, $W _ { \mathrm { A } }$ 是 $W _ { 0 }$ 的 倍, $W _ { \mathrm { B } }$ 是 $W _ { 0 }$ 的 倍。
查看答案与解析
答案:$1/16$;$1/4$
解析:
A 与 B 接触:各得 $Q/2$。A 与 C 接触:各得 $Q/4$。
最终:$Q_A = Q/4$,$Q_B = Q/2$,$Q_C = Q/4$。
$W \propto Q^2$,$W_0 \propto Q^2$。
$W_A/W_0 = (1/4)^2 = 1/16$,$W_B/W_0 = (1/2)^2 = 1/4$。
难度: ⭐
考点: #导体 #电场能量
💡 学习锦囊
📖 相关公式与知识点:
- 孤立导体球电容:$C = 4\pi\varepsilon_0 R$
- 电场能量:$W = Q^2/(2C)$($W \propto Q^2$)
- 相同导体球接触后电荷均分
- A 与 B 接触:$Q_A = Q_B = Q/2$;A 再与 C 接触:$Q_A = Q_C = Q/4$
思路分析
- 追踪每次接触后的电荷分配
- 最终 $Q_A = Q/4$,$Q_B = Q/2$,$Q_C = Q/4$
- 由 $W \propto Q^2$ 计算能量比
易错点
- 相同导体球接触后电荷均分,不是电流均分
- 电场能量与 $Q^2$ 成正比,不是与 $Q$ 成正比
🔄 举一反三
三个相同球 A、B、C,A 带 $Q$,先 A 接 B,再 B 接 C,最终各球电荷?
查看练习答案与解析
答案:$Q_A = Q/2$,$Q_B = Q/4$,$Q_C = Q/4$
解析:
- 第一步:A 接 B → $Q_A = Q_B = Q/2$
- 第二步:B 接 C → $Q_B = Q_C = Q/4$
- 第三步:A 未参与第二次接触,$Q_A = Q/2$
若 A、B、C 三球同时接触,各球电荷?
查看练习答案与解析
答案:各 $Q/3$
解析:三球相同,总电荷 $Q$ 均分,每球 $Q/3$。
🔄 举一反三
两相同金属球接触后分开,电荷如何分配?
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答案:各得一半
5.(3分) 在无限大的各向同性均匀电介质中,放一无限长的均匀带电直线,其电荷线密度为λ.已知介质的相对介电常量为 $\mathcal { E } _ { \mathrm { r } }$ ,则介质中距离带电直线为 $r$ 处的电极化强度大小 $P = _ { - }$ 。
查看答案与解析
答案:$\frac{(\varepsilon_r - 1)\lambda}{2\pi\varepsilon_r r}$
解析:
$D = \lambda/(2\pi r)$,$E = D/(\varepsilon_r\varepsilon_0) = \lambda/(2\pi\varepsilon_r\varepsilon_0 r)$。
$P = \varepsilon_0(\varepsilon_r - 1)E = \frac{(\varepsilon_r - 1)\lambda}{2\pi\varepsilon_r r}$。
难度: ⭐⭐
考点: #电极化强度 #电介质
💡 学习锦囊
📖 相关公式与知识点:
- 电极化强度:$P = \varepsilon_0(\varepsilon_r - 1)E = (\varepsilon_r - 1)D/\varepsilon_r$
- $\vec{D}$ 的高斯定理:$D = \lambda/(2\pi r)$(无限长带电直线)
- 介质中场强:$E = D/(\varepsilon_r\varepsilon_0)$
- $P$ 与 $E$ 的关系:$\vec{P} = \chi_e\varepsilon_0\vec{E}$,$\chi_e = \varepsilon_r - 1$
思路分析
- 由高斯定理求 $D$
- 由 $D$ 求 $E$
- 由 $E$ 求 $P$
易错点
- $P$ 的公式中 $\varepsilon_r - 1$ 不要漏减 1
- 真空中 $\varepsilon_r = 1$,$P = 0$(无极化)
🔄 举一反三
真空中($\varepsilon_r = 1$)电极化强度?
查看练习答案与解析
答案:$P = 0$
解析:
- 第一步:$\varepsilon_r = 1$ → $\chi_e = 0$
- 第二步:$P = \chi_e\varepsilon_0 E = 0$
- 第三步:真空中无介质,无极化
若 $\varepsilon_r \gg 1$,$P$ 近似为多少?
查看练习答案与解析
答案:$P \approx \lambda/(2\pi r) = D$
解析:$\varepsilon_r \gg 1$ 时,$(\varepsilon_r - 1)/\varepsilon_r \approx 1$,$P \approx D$。
- (3 分) 将半径为 $R$ 的无限长导体管壁(厚度忽略)沿轴向割去一定宽度 $h \ ( h < < R )$ 的无限长狭缝后,再沿轴向均匀地通有电流,其面电流密度为 $i ,$ 如图所示,则管轴线上磁感应强度大小是 。

查看答案与解析
答案:$\frac{\mu_0 h i}{2\pi R}$
解析:
完整圆管在轴线上 $B = 0$。割去狭缝相当于减去宽 $h$ 的电流,其效果等于在轴线上产生 $B = \mu_0 i h/(2\pi R)$。
难度: ⭐⭐
考点: #毕奥-萨伐尔定律 #磁场叠加
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📖 相关公式与知识点:
- 完整圆管轴向电流在轴线上:$B = 0$(安培环路定理)
- 狭缝等效为反向电流:$I_{\text{缝}} = ih$
- 无限长直导线磁场:$B = \mu_0 I/(2\pi R)$
- 叠加原理:有缝圆管 = 完整圆管 − 狭缝电流
思路分析
- 完整圆管在轴线上 $B=0$
- 割去狭缝等效于减去宽 $h$ 的电流
- 狭缝电流在轴线上产生磁场 $B = \mu_0 ih/(2\pi R)$
易错点
- 狭缝很窄($h \ll R$),可视为线电流
- 叠加法是处理"缺损"问题的常用技巧
🔄 举一反三
完整圆管通均匀轴向电流,轴线上磁场?
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答案:$B = 0$
解析:
- 第一步:取轴线为安培环路
- 第二步:环路内无电流穿过
- 第三步:$B \cdot 2\pi r = 0$ → $B = 0$
若割去两条对称狭缝,轴线上磁场?
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答案:$0$
解析:两条对称狭缝在轴线上产生的磁场等大反向,互相抵消。
- (4分) 一平面试验线圈的磁矩大小 $m$ 为 $1 { \times } 1 0 ^ { - 8 } \mathrm { ~ A ~ } { \cdot } \mathrm { ~ m } ^ { 2 }$ ,把它放入待测磁场中的A处,试验线圈如此之小,以致可以认为它所占据的空间内场是均匀的。当此线圈的m与z轴平行时,所受磁力矩大小为 $M = 5 { \times } 1 0 ^ { - 9 } \mathrm { ~ N } \cdot \mathrm { m }$ ,方向沿 $x$ 轴负方向;当此线圈的 m 与 $y$ 轴平行时,所受磁力矩为零。则空间 A 点处的磁感应强度 $\dot { B }$ 的大小为 ,方向为 。
查看答案与解析
答案:$0.5\ \mathrm{T}$;沿 $y$ 轴方向
解析:
$\vec{M} = \vec{m} \times \vec{B}$。$\vec{m} \parallel y$ 时 $M = 0$ → $\vec{B} \parallel y$。
$\vec{m} \parallel z$ 时 $M = mB = 5 \times 10^{-9}$ → $B = 5 \times 10^{-9} / (1 \times 10^{-8}) = 0.5\ \mathrm{T}$。
方向:$\vec{m} \times \vec{B}$ 沿 $-x$,$\vec{m} \parallel z$ → $\vec{B}$ 沿 $+y$。
难度: ⭐⭐
考点: #磁力矩 #磁矩
💡 学习锦囊
📖 相关公式与知识点:
- 磁力矩:$\vec{M} = \vec{m} \times \vec{B}$,大小 $M = mB\sin\theta$
- 磁矩与磁场平行时 $M = 0$,垂直时 $M = mB$
- $\vec{m} \parallel y$ 时 $M=0$ → $\vec{B} \parallel y$
- $\vec{m} \parallel z$ 时 $M$ 沿 $-x$ → $\vec{B}$ 沿 $+y$
思路分析
- 由 $M=0$ 的条件判断 $\vec{B}$ 的方向
- 由 $M=mB$ 的大小求 $B$
- 由叉积方向验证 $\vec{B}$ 的方向
易错点
- $\vec{M} = \vec{m} \times \vec{B}$,不是 $\vec{B} \times \vec{m}$
- 磁力矩为零说明磁矩与磁场平行(同向或反向)
🔄 举一反三
线圈磁矩与磁场平行,磁力矩?
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答案:$M = 0$
解析:
- 第一步:$\vec{m} \parallel \vec{B}$ → $\sin\theta = 0$
- 第二步:$M = mB\sin\theta = 0$
线圈磁矩与磁场成 $30^\circ$,$m = 2\ \mathrm{A\cdot m^2}$,$B = 0.5\ \mathrm{T}$,求 $M$。
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答案:$M = 0.5\ \mathrm{N\cdot m}$
解析:$M = mB\sin 30^\circ = 2 \times 0.5 \times 0.5 = 0.5\ \mathrm{N\cdot m}$。
8.(3分) 氢原子中,电子绕原子核沿半径为 $r$ 的圆周运动等效于—个圆形电流。如果外加一个磁感应强度为 $B$ 的磁场,其磁感应线与轨道平面平行,则这个圆电流所受的磁力矩大小 $M = _ { - }$ 。设电子质量为 $m _ { \mathfrak { e } }$ ,电子电量的绝对值为e。。
查看答案与解析
答案:$\frac{e^2 B}{4}\sqrt{\frac{r}{\pi\varepsilon_0 m_e}}$
解析:
电子圆周运动:$e^2/(4\pi\varepsilon_0 r^2) = m_e v^2/r$ → $v = e/\sqrt{4\pi\varepsilon_0 m_e r}$。
等效电流 $I = e/T = ev/(2\pi r)$,磁矩 $m = I \cdot \pi r^2 = evr/2$。
$M = mB = \frac{e^2 B}{4}\sqrt{\frac{r}{\pi\varepsilon_0 m_e}}$。
难度: ⭐⭐⭐
考点: #磁矩 #磁力矩 #玻尔模型
💡 学习锦囊
📖 相关公式与知识点:
- 电子轨道磁矩:$m = IS = \frac{evr}{2}$
- 等效电流:$I = e/T = ev/(2\pi r)$
- 库仑力提供向心力:$e^2/(4\pi\varepsilon_0 r^2) = m_e v^2/r$
- 磁力矩:$M = mB\sin\theta$($\vec{B}$ 与轨道面平行时 $\theta = 90^\circ$)
思路分析
- 由库仑力提供向心力求电子速度 $v$
- 计算等效电流和磁矩
- 磁场与轨道面平行,$\sin\theta = 1$,$M = mB$
易错点
- 磁场与轨道面平行 ≠ 磁矩与磁场平行
- 磁矩方向垂直于轨道面
🔄 举一反三
磁场垂直于轨道平面,磁力矩?
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答案:$M = 0$($\vec{m} \parallel \vec{B}$)
解析:
- 第一步:磁矩方向垂直于轨道面
- 第二步:磁场也垂直于轨道面 → $\vec{m} \parallel \vec{B}$
- 第三步:$M = mB\sin 0 = 0$
氢原子基态($r = a_0$)的磁矩大小?
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答案:$m_B = eh/(4\pi m_e)$(玻尔磁子)
解析:$m = evr/2$,$v = e/\sqrt{4\pi\varepsilon_0 m_e r}$,代入得 $m = \frac{e^2}{4}\sqrt{\frac{r}{\pi\varepsilon_0 m_e}}$。
- (3分) 无限长载流直导线,通以电流 $I _ { 1 }$ ,旁边有一段长为 $a$ ,电流为 $I _ { 2 }$ 的直导线,与之共面。其左端距无限长直导线的距离为$a$ ,则 $I _ { 2 }$ 受到的安培力的大小为 。

查看答案与解析
答案:$\frac{\mu_0 I_1 I_2}{2\pi}\ln 2$
解析:
$B = \mu_0 I_1/(2\pi x)$,$dF = I_2 B dx = \frac{\mu_0 I_1 I_2}{2\pi x}dx$。
$F = \int_a^{2a} \frac{\mu_0 I_1 I_2}{2\pi x}dx = \frac{\mu_0 I_1 I_2}{2\pi}\ln 2$。
难度: ⭐⭐
考点: #安培力 #载流导线
💡 学习锦囊
📖 相关公式与知识点:
- 安培力:$d\vec{F} = I\,d\vec{l} \times \vec{B}$
- 无限长直导线磁场:$B = \mu_0 I_1/(2\pi x)$
- 非均匀磁场中需积分:$F = \int I_2 B(x)\,dx$
- 积分限:从 $a$ 到 $2a$
思路分析
- 写出 $I_1$ 在 $x$ 处产生的磁场
- 微元安培力 $dF = I_2 B(x)\,dx$
- 从 $a$ 到 $2a$ 积分
易错点
- 磁场随距离变化,不能直接用 $F = BIL$
- 积分限是导线两端到长直导线的距离
🔄 举一反三
两平行无限长载流导线单位长度受力?
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答案:$F = \mu_0 I_1 I_2/(2\pi d)$
解析:
- 第一步:导线 1 在导线 2 处的磁场 $B = \mu_0 I_1/(2\pi d)$
- 第二步:单位长度安培力 $F/L = I_2 B = \mu_0 I_1 I_2/(2\pi d)$
若两导线电流同向,受力方向?
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答案:相互吸引
解析:同向电流产生磁场使对方受力指向自己,表现为吸引力。
10.(4分) 长直电缆由一个圆柱导体和一共轴圆筒状导体组成,两导体中有等值反向均匀电流 I 通过,其间充满磁导率为 $\mu$ 的均匀磁介质。介质中离中心轴距离为 $r$ 的某点处的磁场强度的大小 $H =$ ,磁感应强度的大小 $B =$
查看答案与解析
答案:$H = \frac{I}{2\pi r}$;$B = \frac{\mu I}{2\pi r}$
解析:
安培环路定理:$\oint \vec{H} \cdot d\vec{l} = I$ → $2\pi r H = I$ → $H = I/(2\pi r)$。
$B = \mu H = \mu I/(2\pi r)$。
难度: ⭐
考点: #安培环路定理 #磁介质
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📖 相关公式与知识点:
- 安培环路定理:$\oint \vec{H} \cdot d\vec{l} = I_f$(传导电流)
- 磁介质中:$B = \mu H = \mu_r\mu_0 H$
- 同轴电缆两导体电流等值反向
- 外部总电流为零 → 外部 $B = 0$
思路分析
- 取半径为 $r$ 的圆形安培环路
- 环路内包围的传导电流为 $I$
- $H = I/(2\pi r)$,$B = \mu H$
易错点
- $\vec{H}$ 的环路定理只与传导电流有关
- 同轴电缆外部两电流抵消,$B=0$
🔄 举一反三
同轴电缆外部的磁场?
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答案:$B = 0$(电流代数和为零)
解析:
- 第一步:外部安培环路包围的总电流 $I + (-I) = 0$
- 第二步:$\oint \vec{H} \cdot d\vec{l} = 0$ → $H = 0$
- 第三步:$B = \mu H = 0$
若内导体电流为 $2I$,外导体电流为 $I$,外部磁场?
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答案:$B = \mu I/(2\pi r)$
解析:净电流 $2I - I = I$,$H = I/(2\pi r)$,$B = \mu I/(2\pi r)$。
三、计算题(共50分)
- (10分) 一无限大带电厚板,板厚为 $2 d$ ,如图那样选 $x$ 轴,电荷体密度 $\rho = \rho _ { \mathrm { 0 } } | x | / d$ ,式中 $\rho _ { 0 }$ 为常量。
(1) 求: $x > 0$ 各处的电场分布;
(2) 以 $x = 0$ 平面作为电势零点,求: $0 < x < d$ 处的电势分布。

查看答案与解析
答案:(1) $0 < x < d$:$E = \frac{\rho_0 x^2}{2d\varepsilon_0}$;$x > d$:$E = \frac{\rho_0 d}{2\varepsilon_0}$;(2) $U = -\frac{\rho_0 x^3}{6d\varepsilon_0}$
解析:
(1) 对称性:$E(-x) = -E(x)$。高斯定理:
$0 < x < d$:$2E S = 2\int_0^x S\rho(x)dx/\varepsilon_0 = S\rho_0 x^2/(d\varepsilon_0)$ → $E = \rho_0 x^2/(2d\varepsilon_0)$。
$x > d$:$2E S = 2\int_0^d S\rho(x)dx/\varepsilon_0 = S\rho_0 d/\varepsilon_0$ → $E = \rho_0 d/(2\varepsilon_0)$。
(2) $U = \int_x^0 E dx = -\int_0^x \frac{\rho_0 x^2}{2d\varepsilon_0}dx = -\frac{\rho_0 x^3}{6d\varepsilon_0}$。
难度: ⭐⭐⭐
考点: #高斯定理 #电势 #对称性
💡 学习锦囊
📖 相关公式与知识点:
- 高斯定理:$\oint \vec{E} \cdot d\vec{S} = q_{\text{内}}/\varepsilon_0$
- 对称性分析:$E(-x) = -E(x)$,场强沿 $x$ 方向
- 电势:$U(x) = -\int_0^x E\,dx$(取 $x=0$ 为零电势点)
- 非均匀电荷分布需积分求 $q_{\text{内}}$
思路分析
- 由对称性确定场强方向沿 $x$ 轴
- 取高斯面(垂直于 $x$ 轴的平面 + 侧面)
- 分 $0 < x < d$ 和 $x > d$ 两种情况求场强
- 由场强积分求电势
易错点
- 电荷密度 $\rho = \rho_0|x|/d$ 随 $x$ 变化,需积分求 $q_{\text{内}}$
- 电势积分方向从 $x$ 到 $0$(零电势点)
🔄 举一反三
均匀带电无限大平板外部场强?
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答案:$E = \sigma/(2\varepsilon_0)$
解析:
- 第一步:均匀带电面密度 $\sigma$,取高斯面
- 第二步:$2ES = \sigma S/\varepsilon_0$
- 第三步:$E = \sigma/(2\varepsilon_0)$
若 $\rho$ 为常数(均匀带电),场强分布?
查看练习答案与解析
答案:$E = \rho x/\varepsilon_0$($|x| < d$),$E = \rho d/\varepsilon_0$($|x| > d$)
解析:均匀分布时 $q_{\text{内}} = \rho S x$,$E = \rho x/\varepsilon_0$。
2.(10 分) 半径为 $R _ { 1 }$ 的导体球,所带电荷为 $q$ ,在它外面同心地罩一金属球壳,其内、外半径分别为 $R _ { 2 }$ 与 $R _ { 3 }$ ,已知 $R _ { 2 } = 2 R _ { 1 }$ , $R _ { 3 } = 3 R _ { 1 }$ 。今在距球心 $d = 4 R _ { 1 }$ 处放一电荷为 $\mathcal { Q }$ 的点电荷,并将金属球壳接地(如图所示),求:
(1) 球壳上感应出的总电荷是多少?
(2) 如果用导线将壳内导体球与壳相连,球壳带电量是多大?

查看答案与解析
答案:(1) $-(3Q/4 + q)$;(2) $-3Q/4$
解析:
(1) 球壳接地 $U_{\text{壳}} = 0$。球心电势叠加:
$U_O = \frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\left(\frac{q}{R_1} - \frac{q}{R_2} + \frac{Q'}{R_3} + \frac{Q}{d}\right) = 0$。
代入 $R_2 = 2R_1$,$R_3 = 3R_1$,$d = 4R_1$:
$\frac{q}{R_1} - \frac{q}{2R_1} + \frac{Q'}{3R_1} + \frac{Q}{4R_1} = 0$ → $Q' = -3Q/4$。
总感应电荷 = $-q + Q' = -(3Q/4 + q)$。
(2) 导线连接后,内球与球壳等势(均为零),球壳外表面电荷 $Q''$:
$\frac{Q''}{3R_1} + \frac{Q}{4R_1} = 0$ → $Q'' = -3Q/4$。
难度: ⭐⭐⭐
考点: #导体静电平衡 #电势叠加 #接地
💡 学习锦囊
📖 相关公式与知识点:
- 电势叠加原理:$U = \frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\sum\frac{q_i}{r_i}$
- 导体静电平衡:导体内部场强为零,导体是等势体
- 接地:电势为零,电荷可与大地交换
- 球壳内表面感应电荷:$-q$(与内球电荷等大反号)
思路分析
- 球壳接地 → 球壳电势为零
- 球心电势 = 内球贡献 + 球壳内表面贡献 + 球壳外表面贡献 + 外部点电荷贡献
- 令球心电势为零,求球壳外表面电荷
- 连接后内球电荷转移到球壳
易错点
- 球心电势法是处理球壳接地问题的常用方法
- 球壳内表面电荷始终为 $-q$(由高斯定理决定)
🔄 举一反三
球壳不接地,球壳外表面电荷?
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答案:$Q' = q$(总电荷守恒)
解析:
- 第一步:不接地时球壳总电荷为零
- 第二步:内表面 $-q$,外表面 $+q$
- 第三步:外部点电荷 $Q$ 不影响球壳电荷分布(近似)
若外部无点电荷 $Q$,球壳接地后外表面电荷?
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答案:$0$
解析:接地后外表面电荷流入大地,仅内表面保留 $-q$。
3. (10分) 一圆柱形电容器,内圆柱的半径为 $R _ { 1 }$ ,外圆柱的半径为 $R _ { 2 }$ ,长为 $L ~ [ L > >$ $\left( R _ { 2 } - R _ { 1 } \right) ]$ ,两圆柱体之间充满相对介电常量为 $\varepsilon$ 的各向同性均匀电介质。设内外圆柱单位长度上带电量(即电荷线密度)分别为 λ 和 −λ。
(1) 求电容器的电容;
(2) 求电容器储存的能量。
查看答案与解析
答案:(1) $C = \frac{2\pi\varepsilon_0\varepsilon L}{\ln(R_2/R_1)}$;(2) $W = \frac{\lambda^2 L}{4\pi\varepsilon_0\varepsilon}\ln\frac{R_2}{R_1}$
解析:
(1) $D = \lambda/(2\pi r)$,$E = D/(\varepsilon\varepsilon_0) = \lambda/(2\pi\varepsilon\varepsilon_0 r)$。
$U = \int_{R_1}^{R_2} E dr = \frac{\lambda}{2\pi\varepsilon\varepsilon_0}\ln\frac{R_2}{R_1}$。
$C = Q/U = \lambda L / U = \frac{2\pi\varepsilon_0\varepsilon L}{\ln(R_2/R_1)}$。
(2) $W = Q^2/(2C) = \frac{\lambda^2 L}{4\pi\varepsilon_0\varepsilon}\ln\frac{R_2}{R_1}$。
难度: ⭐⭐
考点: #电容器 #电介质 #电场能量
💡 学习锦囊
📖 相关公式与知识点:
- 电容定义:$C = Q/U$
- 圆柱形电容器电压:$U = \frac{\lambda}{2\pi\varepsilon\varepsilon_0}\ln\frac{R_2}{R_1}$
- 电场能量:$W = Q^2/(2C) = \frac{1}{2}CU^2$
- 介质使电容增大 $\varepsilon$ 倍
思路分析
- 由高斯定理求 $D$ 和 $E$
- 积分求电压 $U$
- 由 $C = Q/U$ 求电容
- 由 $W = Q^2/(2C)$ 求能量
易错点
- 介质中场强 $E = D/(\varepsilon\varepsilon_0)$,不要忘记 $\varepsilon$
- 电容与长度 $L$ 成正比
🔄 举一反三
圆柱形电容器充满介质后电容变为真空的几倍?
查看练习答案与解析
答案:$\varepsilon$ 倍
解析:
- 第一步:真空电容 $C_0 = 2\pi\varepsilon_0 L/\ln(R_2/R_1)$
- 第二步:有介质 $C = 2\pi\varepsilon\varepsilon_0 L/\ln(R_2/R_1) = \varepsilon C_0$
平行板电容器电容公式?
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答案:$C = \varepsilon\varepsilon_0 S/d$
解析:$E = \sigma/(\varepsilon\varepsilon_0)$,$U = Ed = \sigma d/(\varepsilon\varepsilon_0)$,$C = Q/U = \sigma S/(\sigma d/(\varepsilon\varepsilon_0)) = \varepsilon\varepsilon_0 S/d$。
- (10 分) 如图所示,有一密绕平面螺旋线圈,其上通有电流 I,总匝数为 $N$ ,它被限制在半径为 $R _ { 1 }$ 和 $R _ { 2 }$ 的两个圆周之间。求此螺旋线中心 $O$ 处的磁感应强度。

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答案:$B = \frac{\mu_0 N I}{2(R_2 - R_1)}\ln\frac{R_2}{R_1}$,方向垂直纸面向外
解析:
在 $r$ 处取 $dr$ 宽圆环,匝数 $dN = N dr/(R_2 - R_1)$,电流 $dI = I dN$。
$dB = \mu_0 dI/(2r) = \frac{\mu_0 N I}{2(R_2 - R_1)}\frac{dr}{r}$。
$B = \int_{R_1}^{R_2} dB = \frac{\mu_0 N I}{2(R_2 - R_1)}\ln\frac{R_2}{R_1}$。
难度: ⭐⭐⭐
考点: #毕奥-萨伐尔定律 #圆电流 #积分
💡 学习锦囊
📖 相关公式与知识点:
- 圆电流中心磁场:$B = \mu_0 I/(2R)$
- 螺旋线圈匝数密度:$dN/dr = N/(R_2 - R_1)$
- 微元圆环磁场:$dB = \mu_0 dI/(2r)$
- 叠加积分:$B = \int_{R_1}^{R_2} dB$
思路分析
- 将螺旋线圈视为许多同心圆环
- 在 $r$ 处取宽 $dr$ 的圆环,匝数 $dN = N\,dr/(R_2 - R_1)$
- 每个圆环在中心产生 $dB = \mu_0 I\,dN/(2r)$
- 从 $R_1$ 到 $R_2$ 积分
易错点
- 匝数均匀分布在径向,不是面积均匀
- 积分结果含 $\ln(R_2/R_1)$,不是简单的差
🔄 举一反三
单匝圆线圈中心磁场?
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答案:$B = \mu_0 I/(2R)$
解析:
- 第一步:毕奥-萨伐尔定律
- 第二步:圆弧上每段 $dl$ 在中心产生的 $dB$ 方向相同
- 第三步:$B = \mu_0 I/(2R)$
若 $R_1 \to R_2 = R$(密绕在半径 $R$ 上),中心磁场?
查看练习答案与解析
答案:$B = \mu_0 NI/(2R)$
解析:$N$ 匝集中在 $R$ 处,$B = N \cdot \mu_0 I/(2R) = \mu_0 NI/(2R)$。
5.(10分) 电磁轨道炮是一种利用电磁力发射炮弹的新型武器,它利用磁能在短时间内把射弹加速到高速。其原理如图所示。大电流沿两条很长的平行的导体轨道之一送出,流过松弛嵌在两轨道之间的待发射的金属弹 $P$ ,然后沿第二条轨道流回电流源。此时,两轨道中的电流所产生的磁场将对流过电流的金属弹 $P$ 产生作用力,推动其
在短时间内加速并发射。若轨道截面为半径为 $R$ 的圆形截面,通有电流 $i ,$ ,两轨道间距为 $d$ ,求作用在金属弹 $P$ 上的力。

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答案:$F = \frac{\mu_0 i^2}{2\pi}\ln\frac{d+R}{R}$,方向水平向右
解析:
两轨道在 $l$ 处产生的磁场同向(垂直纸面向里):
$B = \frac{\mu_0 i}{4\pi l} + \frac{\mu_0 i}{4\pi(2R+d-l)}$。
$dF = i B dl$,积分:
$F = \int_R^{R+d} \left[\frac{\mu_0 i^2}{4\pi l} + \frac{\mu_0 i^2}{4\pi(2R+d-l)}\right]dl = \frac{\mu_0 i^2}{2\pi}\ln\frac{d+R}{R}$。
难度: ⭐⭐⭐
考点: #安培力 #磁场叠加 #积分
💡 学习锦囊
📖 相关公式与知识点:
- 安培力:$d\vec{F} = I\,d\vec{l} \times \vec{B}$
- 无限长直导线磁场:$B = \mu_0 I/(2\pi r)$
- 两轨道电流在弹体处磁场叠加
- 非均匀磁场需积分求总力
思路分析
- 分析两轨道在弹体各位置产生的磁场
- 两轨道磁场同向叠加
- 微元安培力 $dF = iB\,dl$
- 沿弹体长度积分
易错点
- 弹体各处到两轨道距离不同,磁场非均匀
- 积分限从 $R$ 到 $R+d$(考虑轨道半径)
🔄 举一反三
两同向电流轨道间金属弹受力方向?
查看练习答案与解析
答案:水平向左
解析:
- 第一步:两轨道电流在弹体处产生垂直纸面向里的磁场
- 第二步:弹体电流从左到右
- 第三步:$\vec{F} = I\vec{l} \times \vec{B}$,由右手定则判断方向
若轨道间距 $d \gg R$,力近似为多少?
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答案:$F \approx \frac{\mu_0 i^2}{2\pi}\ln(d/R)$
解析:$d \gg R$ 时,$d + R \approx d$,$\ln((d+R)/R) \approx \ln(d/R)$。